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Transfer and recombination mechanism of carriers in phase-separated InGaN quantum wells

发布时间:2019-06-12
点击次数:
所属单位:
物理学院
论文名称:
Transfer and recombination mechanism of carriers in phase-separated InGaN quantum wells
发表刊物:
Journal of applied physics
第一作者:
冀子武
全部作者:
肖洪地
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-147132
卷号:
114
页面范围:
093508-1
是否译文:
发表时间:
2013-09
发布时间:
2019-06-12