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Growth process from amorphous GaN to polycrystalline GaN on Si (111) substrates

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
VACUUM
全部作者:
肖洪地,刘建强,林兆军
第一作者:
肖洪地
论文编号:
lw-77690
卷号:
83
期号:
11
页面范围:
1393
字数:
3000
是否译文:
发表时间:
2009-07-15