Growth process from amorphous GaN to polycrystalline GaN on Si (111) substrates
发布时间：2019-10-24
点击次数：
- 所属单位：
- 物理学院
- 论文名称：
- Growth process from amorphous GaN to polycrystalline GaN on Si (111) substrates
- 发表刊物：
- VACUUM
- 第一作者：
- 肖洪地
- 全部作者：
- 刘建强,林兆军,肖洪地
- 论文编号：
- lw-77690
- 卷号：
- 83
- 期号：
- 11
- 页面范围：
- 1393
- 字数：
- 3000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2009-07
- 发布时间：
- 2019-10-24