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Porosity-induced relaxation of strains at different depth of nanoporous GaN stuided using the Z-scan of Raman spectroscopy

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
全部作者:
肖洪地,冀子武,马瑾
第一作者:
肖洪地
论文编号:
lw-167315
卷号:
626
页面范围:
154
字数:
2500
是否译文:
发表时间:
2015-01-01