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Degradation mechanism of hydrogen-terminated porous silicon in the presence and in the absence of light

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
AIP Advances
全部作者:
肖洪地,裴海燕,
第一作者:
肖洪地
论文编号:
lw-174582
卷号:
5
页面范围:
067125
是否译文:
发表时间:
2015-05-15