beta-Ga2O3 epitaxial films deposited on epi-GaN/sapphire (0001) substrates by MOCVD
发布时间：2019-10-25
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Materials Science in Semiconductor Processing
- 全部作者：
- 肖洪地,冯先进,马瑾
- 第一作者：
- 曹琼
- 论文编号：
- 3891A01B92C44DCAAD07D31EC88B3B5F
- 卷号：
- 77
- 页面范围：
- 58
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-04-01