Preparation and properties of heteroepitaxial beta-Ga2O3 films on KTaO3 (100) substrates by MOCVD
发布时间：2021-06-01
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- MATERIALS CHARACTERIZATION Journal
- 第一作者：
- 王迪
- 论文编号：
- 3B08BF7E953F4E09831216E84A5AC61A
- 卷号：
- 165
- 字数：
- 5
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2020-07-01