Fabrication and optoelectronic properties of Ga2O3/Eu epitaxial films on nanoporous GaN distributed Bragg reflectors
发布时间：2021-06-02
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- Journal of Materials Science and Technology
- 第一作者：
- 肖洪地
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- B524B18ACC8A40048A0A289E722C7A2C
- 期号：
- 55
- 页面范围：
- 8231
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2020-04-03