Effects of porosity on the structural and optoelectronic properties of Er-doped Ga2O3 epitaxial films on etched epi-GaN/sapphire substrates
发布时间：2022-01-18
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Ceramics International
- 第一作者：
- 肖洪地
- 论文编号：
- 686BD4C0C2214A248DAA9ADC14D17DAE
- 期号：
- 47
- 页面范围：
- 9597
- 字数：
- 4
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-01-01