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Solar-blind ultraviolet photodetectors based on Ta-doped β-Ga2O3 heteroepitaxial films

发布时间:2022-12-16
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
OPTICAL MATERIALS
关键字:
Doping;Epitaxial film;Metal-semiconductor-metal structure;Ultraviolet detector;β-Ga2O3
第一作者:
王迪
论文编号:
1541720342197714945
卷号:
129
字数:
5
是否译文:
发表时间:
2022-07-01