杨国深山东大学主页平台管理系统--中文主页

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Monolithic integration of perovskite photoabsorbers with igzo thin‐film transistor backplane for phototransistor-based image sensor

点击次数：

发表刊物：Advanced Materials Technologies

第一作者：Chen Tong

论文类型：期刊论文

文献类型：J

页面范围：2200679

是否译文：否

发表时间：2022-08-01

收录刊物：SCI

发表时间：2022-08-01

上一条： Take full advantage of hazardous electrochemical chlorine erosion to ultrafast produce superior NiFe oxygen evolution reaction electrode

下一条： Enhanced efficiency and stability of n-i-p perovskite solar cells by incorporation of fluorinated graphene in the spiro-ometad hole transport layer

杨国深 (副研究员)