杨国深 (副研究员)

副研究员 硕士生导师

性别:男

毕业院校:日本山梨大学

学历:博士研究生毕业

学位:工学博士学位

在职信息:在职

所在单位:信息科学与工程学院

入职时间:2024-01-18

所属院系: 信息科学与工程学院

办公地点:K3-401

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Monolithic integration of perovskite photoabsorbers with igzo thin‐film transistor backplane for phototransistor-based image sensor

发布时间:2024-03-19   点击数:

论文名称:Monolithic integration of perovskite photoabsorbers with igzo thin‐film transistor backplane for phototransistor-based image sensor

发表刊物:Advanced Materials Technologies

第一作者:Chen Tong

论文类型:期刊论文

文献类型:J

页面范围:2200679

是否译文:

发表时间:2022-08

收录刊物:SCI

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