颜世申
教授
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Tunable ferromagnetism by oxygen vacancies in Fe-doped In(2)O(3) magnetic semiconductor
发布时间：2019-04-14
  • 所属单位：
    物理学院
  • 论文名称：
    Tunable ferromagnetism by oxygen vacancies in Fe-doped In(2)O(3) magnetic semiconductor
  • 发表刊物：
    Journal of applied physics
  • 第一作者：
    陈延学
  • 全部作者：
    颜世申,刘国磊,梅良模
  • 论文类型：
    基础研究
  • 论文编号：
    lw-107889
  • 卷号：
    106
  • 期号：
    4
  • 页面范围：
    043909-1
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2009-08
  • 发布时间：
    2019-04-14
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