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颜世申
教授
所属院部:
物理学院
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论文成果
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Epitaxial properties of Co-doped ZnO thin films grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
所属单位:
物理学院
发表刊物:
chinese physics letters
全部作者:
陈延学,颜世申,梅良模
第一作者:
刘国磊
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-136524
卷号:
24
期号:
10
页面范围:
2951
是否译文:
否
发表时间:
2007-10-05
上一条:
Effects of oxygen vacancy on the electrical and magnetic properties of anatase Fe0.05Ti0.95O2 films
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Ferromagnetism, variable range hopping, and the anomalous Hall effect in epitaxial Co:ZnO thin film
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