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颜世申
教授
所属院部:
物理学院
访问次数:
次
论文成果
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Ten States of Nonvolatile Memory through Engineering Ferromagnetic Remanent Magnetization
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Advanced functional materials
全部作者:
柏利慧,康仕寿,颜世申,田玉峰,陈延学
第一作者:
钟海
论文类型:
基础研究
论文编号:
542BD7C4BF1F48B1B0CB63A521201124
卷号:
29
期号:
2
是否译文:
否
发表时间:
2019-01-10
上一条:
Electrical Control of Spin-Mixing Conductance in a Y3Fe5O12/Platinum Bilayer
下一条:
High Density of End-Oxygens Induced by NO Adsorption on (2 x 1)Ni-O/Ni(110) Surfaces
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