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颜世申
教授
所属院部：
物理学院
访问次数：
次
论文成果
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Electrical control of memristance and magnetoresistance in oxide magnetic tunnel junctions
所属单位：
物理学院
发表刊物：
NANOSCALE
全部作者：
田玉峰,康仕寿,陈延学,刘国磊,颜世申,梅良模
第一作者：
田玉峰
论文类型：
基础研究
论文编号：
lw-168573
卷号：
7
页面范围：
6334
是否译文：
否
发表时间：
2015-03-04
上一条：
Hybrid density functional study of band alignment in ZnO–GaN andZnO–(Ga1xZnx)(N1xOx)–GaN heterostructures
下一条：
Structural and physical properties of BiFeO3 thin films epitaxially grown on SrTiO3 (001) and polar (111) surfaces
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