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颜世申
教授
所属院部：
物理学院
访问次数：
次
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Superparamagnetism, magnetoresistance and anomalous Hall effect in amorphous MnxSi1-x semiconductor films
所属单位：
物理学院
发表刊物：
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
全部作者：
田玉峰,代由勇,萧淑琴,颜世申,康仕寿
第一作者：
田玉峰
论文类型：
基础研究
论文编号：
lw-187796
卷号：
623
页面范围：
438
是否译文：
否
发表时间：
2014-11-13
上一条：
Structure, band gap, and Mn-related mid-gap states in epitaxial single crystal (Zn1-xMgx)(1-y)MnyO thin films
下一条：
Enhanced tunnel magnetoresistance in fully epitaxial ZnO:Co-based magnetic tunnel junctions with Mg-doped ZnO barrier
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