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颜世申
教授
所属院部：
物理学院
访问次数：
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论文成果
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Electric and Magnetic Field Tunable Rectification and Magnetoresistance in FexGe1?x/Ge Heterojunction Diodes
所属单位：
物理学院
发表刊物：
Chin. Phys. Lett
全部作者：
代由勇,刘国磊,陈延学,颜世申,康仕寿,萧淑琴
第一作者：
代由勇
论文编号：
lw-102235
卷号：
28
期号：
10
页面范围：
107501-1
字数：
2
是否译文：
否
发表时间：
2011-10-12
上一条：
High-frequency electromagnetic proper ties of compositionally graded FeCoB-SiO2 granular films deposited on flexible substrates
下一条：
Oscillation of coercivity between positive and negative in MnxGe1-x:H ferromagnetic semiconductor films
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