颜世申

教授

Electrically tunable tunneling rectification magnetoresistance in magnetic tunneling junctions with asymmetric barriers

• 所属单位：
  物理学院
• 发表刊物：
  NANOSCALE
• 全部作者：
  梅良模,田玉峰,颜世申,陈延学,刘国磊,康仕寿
• 第一作者：
  王静
• 论文类型：
  基础研究
• 论文编号：
  075856A281544CAFA0AD0FD3345F381C
• 卷号：
  9
• 期号：
  41
• 页面范围：
  16073
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2017-11-07