登录
|
山东大学
|
English
颜世申
教授
所属院部：
物理学院
访问次数：
次
论文成果
返回中文主页
Large rectification magnetoresistance in nonmagnetic Al/Ge/Al heterojunctions
所属单位：
物理学院
发表刊物：
Scientific Reports
全部作者：
颜世申,林兆军,康仕寿,陈延学,刘国磊,梅良模,田玉峰
第一作者：
颜世申
论文编号：
lw-173433
字数：
2
是否译文：
否
发表时间：
2015-09-21
上一条：
Oxygen vacancies controlled multiple magnetic phases in epitaxial single crystal Co0.5(Mg0.55Zn0.45)0.5O1-v thin films
下一条：
Reversible control of the magnetization of spinel ferrites based electrodes by lithium-ion migration
版权所有 ©山东大学 地址：中国山东省济南市山大南路27号 邮编：250100
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731 建设维护：山东大学信息化工作办公室
回到顶部
