颜世申
教授
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Multi-polar resistance switching and memory effect in copper phthalocyanine junctions
发布时间：2019-10-24
  • 所属单位：
    物理学院
  • 论文名称：
    Multi-polar resistance switching and memory effect in copper phthalocyanine junctions
  • 发表刊物：
    Chinese Physics B
  • 第一作者：
    康仕寿
  • 全部作者：
    梅良模,于淑云,韩广兵,颜世申,康仕寿
  • 论文编号：
    lw-158871
  • 卷号：
    23
  • 期号：
    5
  • 页面范围：
    058501-1
  • 字数：
    3
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2014-03
  • 发布时间：
    2019-10-24
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