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颜世申
教授
所属院部：
物理学院
访问次数：
次
论文成果
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Multi-polar resistance switching and memory effect in copper phthalocyanine junctions
所属单位：
物理学院
发表刊物：
Chinese Physics B
全部作者：
康仕寿,韩广兵,颜世申,梅良模,于淑云
第一作者：
康仕寿
论文编号：
lw-158871
卷号：
23
期号：
5
页面范围：
058501-1
字数：
3
是否译文：
否
发表时间：
2014-03-11
上一条：
Enhancing s, p-d exchange interactions at room temperature by carrier doping in single crystalline Co0.4Zn0.6O epitaxial films
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Robust ferromagnetism of single crystalline CoxZn1？xO (0.3 ≤ x ≤ 0.45) epitaxial films with high Co concentration
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