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颜世申
教授
所属院部：
物理学院
访问次数：
次
论文成果
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Programmable Spin-Orbit Torque Multistate Memory and Spin Logic Cell
所属单位：
物理学院
发表刊物：
ACS nano
第一作者：
范轶博
论文编号：
F291B8634DD3454B8A1F216520373148
期号：
4
页面范围：
6878
字数：
4
是否译文：
否
发表时间：
2022-04-26
上一条：
Field-Free Magnetization Switching in a Ferromagnetic Single Layer through Multiple Inversion Asymmetry Engineering
下一条：
Spin-orbit torque controllable complete spin logic in a single magnetic heterojunction
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