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颜世申
教授
所属院部：
物理学院
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论文成果
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Ten States of Nonvolatile Memory through Engineering Ferromagnetic Remanent Magnetization
所属单位：
物理学院
发表刊物：
Advanced Functional Materials
第一作者：
钟海
论文编号：
6B16BA2D40634812BE9D65FC4A8DE5E1
期号：
29
字数：
6
是否译文：
否
发表时间：
2019-01-10
上一条：
Purely Electrical Controllable Complete Spin Logic in a Single Magnetic Heterojunction
下一条：
Engineering Spin Configurations of Synthetic Antiferromagnet by Controlling Long-Range Oscillatory Interlayer Coupling and Neighboring Ferrimagnetic Coupling
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