登录
|
山东大学
|
English
颜世申
教授
所属院部:
物理学院
访问次数:
次
专利
返回中文主页
单晶锗锰磁性半导体/锗磁性异质结二极管及其制备方法
所属单位:
物理学院
申请专利人:
颜世申
专利类型:
发明
申请号:
200910017191.1
发明人数:
1
是否职务专利:
否
申请日期:
2009-08-06
上一条:
集记忆电阻与隧穿磁电阻的自旋记忆电阻器件及制备方法
下一条:
纳米晶CoZnO紫外发光薄膜及其制备方法
版权所有 ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室
回到顶部