颜世申
教授
所属院部： 物理学院
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单晶锗锰磁性半导体/锗磁性异质结二极管及其制备方法
发布时间：2019-04-15
  • 专利名称：
    单晶锗锰磁性半导体/锗磁性异质结二极管及其制备方法
  • 所属单位：
    物理学院
  • 专利类型：
    发明
  • 申请号：
    200910017191.1
  • 发明人数：
    1
  • 是否职务专利：
    否
  • 申请日期：
    2009-08-06
  • 发布时间：
    2019-04-15
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