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颜世申
教授
所属院部:
物理学院
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专利
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电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法
所属单位:
物理学院
申请专利人:
颜世申
发明设计人:
梅良模,陈延学,刘国磊,梅良模
专利类型:
发明
申请号:
200710115811.6
发明人数:
4
是否职务专利:
否
申请日期:
2007-12-20
公开日期:
2010-03-24
授权日期:
2007-12-20
上一条:
磁性增强的H掺杂MNXGE1-X磁性半导体薄膜
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