返回中文主页
论文成果
Solid-liquid interface optimization and properties of ultra-wide bandgap β-Ga2O3 grown by Czochralski and EFG methods
  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 发表刊物：
    CrystEngComm
  • 关键字：
    Carrier concentration;Crystal growth;Crystal impurities;Crystal structure;Crystallization;Galerkin methods;Gallium compounds;Heat transfer;Liquids
  • 第一作者：
    穆文祥
  • 论文编号：
    1395293011256020994
  • 卷号：
    21
  • 期号：
    17
  • 页面范围：
    2762-2767
  • 字数：
    5000
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2019-01-01

上一条：Mg-Defect Compensation to Realize High Performance at Room Temperature in Mg3Bi2？Based Thermoelectric Single Crystals

下一条：High-sensitivity ratiometric thermometers of Yb3+/Er3+/Tm3+ co-doped LuScO3 single crystal fibers based on non-thermally coupled energy levels

版权所有   ©山东大学　地址：中国山东省济南市山大南路27号　邮编：250100　
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731　建设维护：山东大学信息化工作办公室