尹延学山东大学主页平台管理系统--中文主页

论文成果当前位置：中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Controlled growth of heterostructured Ga/GaAs nanowires with sharp schottky barrier

点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：Cryst. Growth Des
全部作者：杨再兴,尹延学
第一作者：Zhou Wang,杨再兴
论文类型：基础研究
论文编号：D433B3AB312945B882DB90A8E4DF726E
是否译文：否
发表时间：2018-06-29

上一条： Two-step vapor deposition of self-catalyzed large-size PbI2 nanobelts for high-performance photodetectors

下一条： The synthesis of novel ZnO microcrystals through a simple solvothermal method and their optical properties