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Controlled growth of heterostructured Ga/GaAs nanowires with sharp schottky barrier

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所属单位：微电子学院
发表刊物：Cryst. Growth Design.
全部作者：杨再兴,尹延学
第一作者：Zhou Wang
论文类型：基础研究
论文编号：09DB1761B6F0454BB02937A20E1A483B
是否译文：否
发表时间：2018-06-29

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