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  • 尹延学 赞

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Toward High Bias-Stress Stability P-Type GaSb Nanowire Field-Effect-Transistor for Gate-Controlled Near-Infrared Photodetection and Photocommunication

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所属单位：物理学院
发表刊物：Advanced functional materials
论文编号：314C533916B0444396DED0A623634621
期号：2304064
字数：4
是否译文：否
发表时间：2023-05-25

 

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