所属单位：信息科学与工程学院

论文名称：An InGaP/GaAs HBT MIC power amplifier with power combining at the X-band

发表刊物：Chinese Journal of Semiconductors

第一作者：陈延湖

全部作者：袁东风

论文类型：应用研究

论文编号：lw-100434

卷号：0

期号：0

是否译文：否

发表时间：2008-11

发布时间：2019-04-14