所属单位：信息科学与工程学院

论文名称：An InGaP/GaAs HBT MIC power amplifier with power combining at the X-band

发表刊物：Chinese Journal of Semiconductors

第一作者：陈延湖

全部作者：袁东风,陈延湖

论文编号：lw-100434

卷号：0

期号：0

字数：5

是否译文：否

发表时间：2008-11

发布时间：2019-10-24