A new direct growth method of graphene on Si-face of 6H-SiC by synergy of the inner and external carbon sources
发布时间：2019-04-14 点击数：
所属单位：晶体材料研究所
论文名称：A new direct growth method of graphene on Si-face of 6H-SiC by synergy of the inner and external carbon sources
发表刊物：Applied surface science
第一作者：杨志远
全部作者：王正平,陈秀芳,程秀凤,于法鹏,赵显
论文类型：基础研究
论文编号：52E6FC05C98647D482816D6BCC2F25D3
卷号：436
页面范围：511
是否译文：否
发表时间：2018-04