A New Direct Growth of High Quality Graphene on Si-face of 6H-SiC by Inner and External Carbon Sources Catalyzed by Nickel
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所属单位：晶体材料研究所
全部作者：赵显,陈秀芳,程秀凤,徐现刚,王正平
第一作者：于法鹏
论文类型：基础研究
论文编号：A81351E1E5DF47C988FEBF9BDA94AABA
是否译文：否
发表时间：2017-11-01
发表时间：2017-11-01