A new direct growth method of graphene on Si-face of 6H-SiC by synergy of the inner and external carbon sources
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所属单位：光学高等研究中心
发表刊物：Applied surface science
全部作者：王正平,陈秀芳,程秀凤,于法鹏,赵显
第一作者：杨志远
论文类型：基础研究
论文编号：933DA7737B734D6781868FA1A9EAAED6
是否译文：否
发表时间：2018-04-01
发表时间：2018-04-01