A new direct growth method of graphene on Si-face of 6H-SiC by synergy of the inner and external carbon sources
发布时间：2019-10-25 点击数：
所属单位：光学高等研究中心
论文名称：A new direct growth method of graphene on Si-face of 6H-SiC by synergy of the inner and external carbon sources
发表刊物：Applied Surface Science
第一作者：杨志远
全部作者：陈秀芳,程秀凤,于法鹏,赵显,王正平
论文编号：933DA7737B734D6781868FA1A9EAAED6
是否译文：否
发表时间：2018-04