于法鹏 (教授)

教授 博士生导师 硕士生导师

性别:男

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

入职时间:2011-08-12

所属院系: 晶体材料研究院

   
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Charge-neutral epitaxial graphene on 6HeSiC(0001) via FeSi intercalation

发布时间:2020-06-03   点击数:

所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

论文名称:Charge-neutral epitaxial graphene on 6HeSiC(0001) via FeSi intercalation

发表刊物:Carbon

第一作者:罗兴云

论文编号:73E652E8B6974407A9A3B7319BB6F359

卷号:156

期号:156

页面范围:187

字数:1000

是否译文:

发表时间:2019-09

上一条: Effect of BN seeds on locating and promoting the initial nucleation of graphene on Cu substrate and its mechanism: A theoretical study

下一条: Theoretical prediction of eliminating the buffer layer and achieving charge neutrality for epitaxial graphene on 6HeSiC(0001) via boron compound intercalations