Pinning and Anharmonic Phonon Effect of Quasi-Free-Standing Bilayer Epitaxial Graphene on SiC
点击次数：
所属单位：晶体材料研究院
发表刊物：NANOMATERIALS
第一作者：孙丽
论文编号：465C5AFC35F64FC6BDA53BABDA170A31
卷号：12
期号：3
字数：5
是否译文：否
发表时间：2022-02-01
发表时间：2022-02-01
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院
入职时间：2011-08-12
联系方式：fapengyu@sdu.edu.cn
Pinning and Anharmonic Phonon Effect of Quasi-Free-Standing Bilayer Epitaxial Graphene on SiC
点击次数：
所属单位：晶体材料研究院
发表刊物：NANOMATERIALS
第一作者：孙丽
论文编号：465C5AFC35F64FC6BDA53BABDA170A31
卷号：12
期号：3
字数：5
是否译文：否
发表时间：2022-02-01
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