Regulating the Electronic Structure of Freestanding Graphene on SiC by Ge/Sn Intercalation: A Theoretical Study
发布时间：2022-12-26 点击数：
所属单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：Regulating the Electronic Structure of Freestanding Graphene on SiC by Ge/Sn Intercalation: A Theoretical Study
发表刊物：Molecules
第一作者：李妍璐
论文编号：9AFF6EF4E9EB4DE9955EF00872F33F87
期号：27
页面范围：9004
字数：8
是否译文：否
发表时间：2022-12