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Regulating the Electronic Structure of Freestanding Graphene on SiC by Ge/Sn Intercalation: A Theoretical Study

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所属单位：晶体材料研究院

发表刊物：Molecules

第一作者：李妍璐

论文编号：9AFF6EF4E9EB4DE9955EF00872F33F87

期号：27

页面范围：9004

字数：8

是否译文：否

发表时间：2022-12-17

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于法鹏 (教授)