所属单位：晶体材料研究所
论文名称：Growth and Characteristics of Yb-doped Y3Ga5O12 Laser Crystal
发表刊物：IEEE Journal of Quantum Electronics
全部作者：张怀金
第一作者：于浩海
论文类型：基础研究
论文编号：lw-103125
卷号：46
期号：12
页面范围：1689
是否译文：否
发表时间：2010-12-01
发表时间：2010-12-01