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张健
教授
所属院部：
晶体材料研究院
访问次数：
次
论文成果
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Highly efficient actively Q-switched Yb:LGGG laser generating 3.26 mJ of pulse energy
所属单位：
晶体材料研究所
发表刊物：
Optical Materials
全部作者：
张健,张百涛,何京良,贾志泰,陶绪堂
第一作者：
李延彬
论文类型：
应用研究
论文编号：
1CCF07D30CF84D64B961A68A4E7E2CCB
卷号：
79
页面范围：
33
是否译文：
否
发表时间：
2018-05-01
上一条：
Development of longer Nd:LGGG crystal for high power laser application
下一条：
Mechanism of Surface Cracking in a Ca12Al14O33 Crystal during the Cooling Process
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