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张健
教授
所属院部：
晶体材料研究院
访问次数：
次
论文成果
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Ti-Doped beta-Ga2O3: A Promising Material for Ultrafast and Tunable Lasers
所属单位：
晶体材料研究所
发表刊物：
Crystal growth & Design
全部作者：
陶绪堂,贾志泰,尹延如,胡强强,李阳,张健
第一作者：
穆文祥
论文类型：
基础研究
论文编号：
47CBE721CDF2490E80EB5FC3CDF27DAF
卷号：
18
期号：
5
页面范围：
3037
是否译文：
否
发表时间：
2018-05-01
上一条：
Solid–liquid interface optimization and properties of ultra-wide bandgap β-Ga2O3 grown by Czochralski and EFG methods
下一条：
High quality crystal growth and anisotropic physical characterization of beta-Ga2O3 single crystals grown by EFG method
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