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张健
教授
所属院部：
晶体材料研究院
访问次数：
次
论文成果
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Flux growth and characterization of an FeSi4P4 single crystal
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
RSC advances
全部作者：
张健,陶绪堂,
第一作者：
于童童
论文类型：
应用研究
论文编号：
93B331D8D3FB4B368DC153B3ED0969D3
卷号：
7
期号：
76
页面范围：
47938
是否译文：
否
发表时间：
2017-06-01
上一条：
High quality crystal growth and anisotropic physical characterization of beta-Ga2O3 single crystals grown by EFG method
下一条：
An extended application of beta-Ga2O3 single crystals to the laser field: Cr4+:beta-Ga2O3 utilized as a new promising saturable absorber
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