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张健
教授
所属院部：
晶体材料研究院
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专利
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基于离子注入技术修饰的全单晶光纤、制备方法及其数值孔径调控和应用
所属单位：
晶体材料研究院
专利类型：
发明
申请号：
202011207882.0
发明人数：
3
是否职务专利：
否
公开日期：
2022-02-11
授权日期：
2022-02-11
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稀土掺杂（LuaScbYc）2O3(a+b+c=1）单晶光纤及其制备方法与应用
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一种垂直结构宽带近红外LED及制备方法
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