Fabrication of Pyramid Structure Substrate Utilized for Epitaxial Growth Free-Standing GaN

发布时间:2020-03-20| 点击次数:

所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

论文名称:Fabrication of Pyramid Structure Substrate Utilized for Epitaxial Growth Free-Standing GaN

发表刊物:Crystals

第一作者:俞瑞仙

全部作者:郝霄鹏,邵永亮,吴拥中,张雷,张保国

论文编号:66965E5DE3B141DABDBA357F02CFD300

卷号:9

期号:11

页面范围:547

字数:3

是否译文:否

发表时间:2019-10

发布时间:2020-03-20