所属单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）

论文名称：Preparation and optimization of freestanding GaN using low-temperature GaN layer

发表刊物：Frontiers of Materials Science

第一作者：田媛

全部作者：张保国,张雷,吴拥中,郝霄鹏,邵永亮

论文编号：2DF14C2A0FF0478F9C1EBCF5EDF06AD8

卷号：13

期号：3

页面范围：314

字数：3

是否译文：否

发表时间：2019-05

发布时间：2020-03-20