Growth and efficient laser emission of Er3+ doped LGGG single crystal at 2.8 μm

发布时间:2024-01-18|点击次数:

所属单位:新一代半导体材料研究院

论文名称:Growth and efficient laser emission of Er3+ doped LGGG single crystal at 2.8 μm

发表刊物:Infrared Physics & Technology

第一作者:张京坤

论文编号:1AF686D126A84E3C806B7CAA1011D870

期号:136

字数:5

是否译文:否

发表时间:2023-12-09