Ta_2NiSe_5纳米片作为一种新型的宽带可饱和吸收体用于全固态脉冲激光的产生(英文)

发布时间:2025-01-13|点击次数:

所属单位:新一代半导体材料研究院

论文名称:Ta_2NiSe_5纳米片作为一种新型的宽带可饱和吸收体用于全固态脉冲激光的产生(英文)

发表刊物:SCIENCE CHINA-MATERIALS

第一作者:颜秉政

论文编号:1565631413984460802

卷号:64

期号:06

页面范围:1468-1476

字数:6200

是否译文:否

发表时间:2021-01-13