Effect of nitrogen doping concentration on 4H-SiC laser slicing

发布时间:2025-05-24|点击次数:

所属单位:新一代半导体材料研究院

论文名称:Effect of nitrogen doping concentration on 4H-SiC laser slicing

发表刊物:Journal of the American Ceramic Society

第一作者:陈秋

论文编号:F446042385FF456791A778937BB905AA

期号:e20555

字数:3

是否译文:否

发表时间:2025-04-04