Numerical Simulation Analysis of Laser Ultrasonic Detection of Defects in Silicon Carbide

发布时间:2025-05-27|点击次数:

所属单位:新一代半导体材料研究院

论文名称:Numerical Simulation Analysis of Laser Ultrasonic Detection of Defects in Silicon Carbide

发表刊物:CRYSTALS

第一作者:殷媛

论文编号:885F105F47474333811B638EDA765D34

期号:2

字数:8

是否译文:否

发表时间:2025-01-21