所属单位:新一代半导体材料研究院
论文名称:Numerical Simulation Analysis of Laser Ultrasonic Detection of Defects in Silicon Carbide
发表刊物:CRYSTALS
第一作者:殷媛
论文编号:885F105F47474333811B638EDA765D34
期号:2
字数:8
是否译文:否
发表时间:2025-01-21
所属单位:新一代半导体材料研究院
论文名称:Numerical Simulation Analysis of Laser Ultrasonic Detection of Defects in Silicon Carbide
发表刊物:CRYSTALS
第一作者:殷媛
论文编号:885F105F47474333811B638EDA765D34
期号:2
字数:8
是否译文:否
发表时间:2025-01-21