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Performance regeneration of InGaZnO transistors with ultra-thin channels

发布时间:2019-04-14
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Applied physics letters
全部作者:
王卿璞
第一作者:
张锡健
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-168482
卷号:
106
期号:
9
页面范围:
093506
是否译文:
发表时间:
2015-03-01