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退火温度对低温生长MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响
发布时间:2019-10-26
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
ACTA PHYSICA SINICA
全部作者:
张锡健,王卿璞,马瑾,宗福建,肖洪地,计峰,
第一作者:
张锡健
论文编号:
lw-95816
卷号:
55
期号:
1
页面范围:
437
字数:
3
是否译文:
否
发表时间:
2006-01-15
上一条:
采用射频磁控溅射法在Si (111) 衬底上生长β-Ga2O3 薄膜