所属单位：

集成电路学院

论文名称：

Solution-Processed TiO2-Based Schottky Diodes With a Large Barrier Height

发表刊物：

IEEE Electron Device Letters

第一作者：

张锡健

全部作者：

张翼飞,张锡健

论文编号：

A92A2F1D237B47018669D416B51C5A41

卷号：

40

期号：

9

页面范围：

1378

字数：

3

是否译文：

否

发表时间：

2019-09

发布时间：

2020-03-20