Solution-Processed TiO2-Based Schottky Diodes With a Large Barrier Height
发布时间：2020-03-20
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- IEEE Electron Device Letters
- 全部作者：
- 张锡健,张翼飞
- 第一作者：
- 张锡健
- 论文编号：
- A92A2F1D237B47018669D416B51C5A41
- 卷号：
- 40
- 期号：
- 9
- 页面范围：
- 1378
- 字数：
- 3
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2019-09-01