张宇
教授
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Construction of High Field-Effect Mobility Multilayer MoS2Field-Effect Transistors with Excellent Stability through Interface Engineering
发布时间：2025-09-22
  • 所属单位：
    集成电路学院
  • 论文名称：
    Construction of High Field-Effect Mobility Multilayer MoS2Field-Effect Transistors with Excellent Stability through Interface Engineering
  • 发表刊物：
    ACS Applied Electronic Materials
  • 关键字：
    Degradation;Density functional theory;Dielectric materials;Electric field effects;Electron mobility;Flexible electronics;Gate dielectrics;Impurities;Layered semiconductors;Molybdenum compounds;Polymethyl methacrylates;Road construction;Silica;Silicon;Stability;Sulfur compounds;Threshold voltage
  • 第一作者：
    Jiang, Jianfeng
  • 论文编号：
    1395293406388817922
  • 卷号：
    2
  • 期号：
    7
  • 页面范围：
    2132-2140
  • 字数：
    20
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2020-07
  • 发布时间：
    2025-09-22
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